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IXFH20N100P
IXFT20N100P
35
30
Fig. 7. Input Admittance
32
28
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25
24
25oC
20
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
16
12
8
4
0
125oC
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
5
10
15
20
25
30
35
60
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
50
40
30
20
T J = 25oC
T J = 125oC
14
12
10
8
6
4
V DS = 500V
I D = 10A
I G = 10mA
10
2
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
100,000
10,000
f = 1MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
1,000
Coss
0.10
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_20N100P (85) 04-01-08-B
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